英特尔-美光推出34纳米NAND,业界对此褒贬不一

晶圆厂内走廊,顶端的自动运输系统AMHS)正在以每小时13公里的速度将晶圆在各个制造环节间运输,24小时不停歇。每个运载器都打在了一个FOUP前端开口片盒),其中可装载最多25片300mm晶圆。

【据《国际电子商情》 2008年06月02日报道】
英特尔与美光合作推出了34纳米32Gb的多层单元芯片,是业内首款小于40纳米的NAND闪存器件,据称在制程竞赛方面走在了东芝、三星和其它厂商的前面。分析师对英特尔-美光的NAND声明有何看法?好消息:英特尔和美光在NAND闪存领域突破了1.00美元/GB的障碍。坏消息:时机不对。“NAND市场供应过剩,”Objective
Analysis的分析师Jim
Handy表示,“SanDisk最近表示,全年都将保持供过于求状态。我们预计目前的供应过剩局面将持续到2008年底。”2009年前景如何?“转向34纳米可能导致NAND市场继续供求过剩,持续时间可能长于Objective
Analysis在2007年12月的预测,当时我们预测供应过剩局面将持续到2009年年中。转向34纳米可能导致供应过剩局面再延长一个季度,”Handy警告说。另一方面,英特尔和美光在NAND领域取得了几个方面的技术领先地位。上述34纳米器件是由英特尔与美光的合资企业IM
Flash Technologies
LLC开发的。“双方表示他们在2006年进入该市场,当时采用的是72纳米技术,他们认为当时比竞争对手落后两年左右,”Handy表示。英特尔和美光“追上并超过了竞争对手,大约领先对手六个月。”英特尔和美光在其它方面也走在了前面。Handy表示:“采用172mm2裸片面积和300mm晶圆,英特尔和美光估计每片晶圆可以得到大约400个裸片,32Gb芯片的价格将略低于4.00美元,相当于大约0.99美元/GB。”“这款产品将使两家公司成为业内首次突破1.00美元/GB关口的公司,”他说,“要知道,目前的MLC
NAND价格徘徊在2.50美元/GB左右。该产品的价格相当于利用300mm晶圆生产的54纳米MLC芯片,或者利用200mm晶圆生产的45纳米MLC
NAND。”他们能否保持领先优势?“多数NAND厂商都计划今年提高300mm生产线的45纳米芯片产量,300mm生产线的45纳米MLC
NAND生产成本约为1.75美元/GB,”他说,“如果成本降到0.99美元/GB,只要NAND价格保持在其竞争对手的成本之上,则IM
Flash新推出的芯片预计可以实现令人瞩目的利润率。”

SK海力士目前已投入2.2兆韩元在韩国清州建设高科技半导体工厂,日前也进一步公开后续在韩国增建工厂的投资计划;SK海力士也表示将在大陆无锡工厂投入1兆韩元,扩大兴建无尘室及相关设备。

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市调机构的资料显示,2015年到2020年NAND
Flash资料储存规模年复合成长率(CAGR)将达44%,业者纷纷增加存储器堆叠层数,兆位元的超高容量时代即将来临。

厂内地面全部打孔,保证空气从上向下流通,将落尘可能减到最小。

2015年,SK海力士量产了第二代36层堆叠3D MLC
NAND(3D-V2),单晶粒容量128Gb(16GB)。2016年,SK海力士推出了第三代48层堆叠的3D-V3,闪存类型改成TLC,重点单晶粒容量256Gb(32GB),而封装芯片的容量最高可以达到4096Gb(512GB)。

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SK海力士在产品策略上,选择跳过64层3D NAND
Flash存储器,直接量产72层产品。但有业界人士批评,跳过64层直接生产72层3D
NAND
Flash存储器,不见得一定有更高的产品竞争力,各界不应太过重视堆叠层数目;在半导体制程上以2x、2y简称20纳米级技术,就是为了避免业者在制程进展过度竞争。

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2016年8月三星电子(Samsung Electronics)宣布从第4季起量产64层3D NAND
Flash存储器,东芝(Toshiba)也加速推动64层3D NAND
Flash量产,全球半导体业界展开一场堆叠层数之战。

上周末,Intel、美光合资闪存制造企业IM Flash Technologies,
LLC(IMFT)宣布已经开始试制25bn工艺NAND闪存芯片。除了纸面宣布外,他们实际上还邀请了多家媒体到IMFT位于美国犹他州Lehi的25nm工艺晶圆厂进行参观。

如今各种设备对于NAND闪存的容量要求越来越高,迫使厂商们不得不持续改进技术,尤其是强化3D堆叠设计。从堆叠层数与储存容量来看,若48层NAND
Flash存储器可储存128GB,相同面积下的64层产品可储存256GB。